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三星已确保3nm工艺良品率稳定 明年量产


时间:2021-10-09  来源:  作者:  点击次数:


10月9日,据外媒报道,已经成功量产5nm芯片的TSMC和三星电子,正在全力推进3nm芯片的量产,以率先获得更多OEM订单。

根据韩国媒体的最新报道,三星电子已经确保了3纳米制程技术的稳定良率,他们计划在明年6月开始量产和代工相关芯片。

三星电子的3nm工艺没有继续采用FinFET技术,而是采用GAA技术。三星表示,采用该工艺制造的芯片性能将比5nm提高50%,能耗降低50%。

目前,全球最大的芯片代工企业TSMC在近几个季度的金融分析师电话会议中透露,这一进程正在按计划推进。据了解,TSMC计划在今年下半年进行风险试产,明年量产。


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