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三星正推进3nm工艺二季度量产 若实现将先于台积电量产


时间:2022-05-01  来源:  作者:  点击次数:


【TechWeb】5月1日消息,据国外媒体报道,在7nm和5nm工艺量产时间上基本能跟上TSMC步伐的三星电子,有望在更先进的3nm工艺上赶在TSMC之前量产。据报道,他们正在推动第二季度的大规模生产。

外媒报道显示,三星电子已经宣布其早期的3nm栅极全能(3GAE)工艺将于第二季度量产。三星电子宣布的这一消息意味着业界首款3nm工艺将量产,它将是首款使用全包围栅晶体管(GAA)的工艺。

三星电子的芯片代工业务部门,隶属于他们的设备解决方案部门,包括三星电子的存储芯片等半导体业务。

在上周四发布的第一季度财报中,三星电子在设备解决方案第二季度展望中也提到了3nm制程技术。

三星电子在第二季度的展望中提到,他们的技术领先地位将通过第一个量产的全包围栅极晶体管3nm工艺得到进一步加强,他们还将扩大供应,以确保来自全球客户的新订单,包括美国和欧洲的客户。

三星电子和TSMC是目前推动3nm工艺量产的两大晶圆代工厂,但技术路线不同。TSMC继续采用FinFET架构,而三星电子采用全包围栅晶体管(GAA)技术。

在3nm之前的很多工艺上,三星电子虽然在量产时间上略落后于TSMC,但基本可以跟上TSMC的步伐。然而,由于产量的巨大差距和苹果订单的缺乏,三星电子在全球代工市场的份额远不及TSMC。多家机构的数据显示,近几个季度TSMC在全球晶圆代工市场的份额已经超过50%,远高于其他厂商。

三星电子在全球代工市场份额上与TSMC有很大差距,也对他们的3纳米工艺寄予厚望。如果他们的3nm工艺可以在第二季度量产,那么它将在TSMC之前量产。4月14日,第一季度财报分析师电话会议上,TSMC CEO魏哲佳再次表示,他们的3nm工艺量产计划不变,正在按计划推进下半年量产。


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