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Soitec 发布首款 200mm SmartSiC 碳化硅优化衬底


时间:2022-05-06  来源:  作者:  点击次数:


基于独家专利技术SmartSiC,它有助于提高电力电子设备的性能和电动汽车的能效。

中国北京,2022年5月6日3354 Soitec是设计和生产创新半导体材料的全球领导者,最近发布了其首款200毫米碳化硅SmartSiC晶片。这标志着Soitec的碳化硅产品组合已经扩展到150mm以上,其SmartSiC晶片的研发水平达到了一个新的高度,可以满足汽车市场日益增长的需求。

第一批200毫米SmartSiC衬底诞生于Soitec衬底创新中心与位于格勒诺布尔的CEA-Leti合作的先进测试线。这批200毫米SmartSiC衬底将在关键客户中进行第一轮验证,以展示其质量和性能。

Soitec于2022年3月开始在法国贝宁建造新工厂Bernin 4,生产150毫米和200毫米SmartSiC晶圆。贝宁4号预计2023年下半年投入运营。

Soitec独特的SmartSiC技术可以将极薄的高质量碳化硅层结合到电阻率极低的多晶硅片上,从而显著提高电力电子设备的性能和电动汽车的能效。

Soitec首席技术官Christophe Maleville表示:“Soitec的SmartSiC衬底将在新能源电动汽车中发挥关键作用。凭借独特的先进技术,我们致力于研究和开发尖端的优化基板,这将有助于开辟汽车和工业市场电力电子设备的新前景。200毫米SmartSiC晶片的加入进一步增强了我们产品组合的差异化,满足了客户在产品质量、可靠性、体积和能效方面的多样化需求。200毫米SmartSiC晶圆是我们开发和部署SMART SiC技术的一个重要里程碑,巩固了Soitec在行业中的领先地位,增强了我们持续创新和推出新一代晶圆技术的能力。”

关于Soitec

法国Soitec半导体公司是创新半导体材料设计和生产的全球领导者,以其在半导体领域的独特技术和专业知识服务于电子和能源市场。Soitec在全球拥有约3,500项专利,并在不断创新的基础上满足客户对高性能、低能耗和低成本的需求。Soitec拥有制造工厂、研发中心和工厂。在欧洲、美国和亚洲设有中心和办事处。Soitec完全致力于可持续发展。2021年,它将可持续发展纳入企业宗旨:“我们为科技创新提供土壤,为电子设备的智能节能赋能,创造可持续的美好生活。”


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